怎么除藻對于養(yǎng)殖相關是一個很頭疼的問題，怎么去更好的解決這個問題呢？

某大學近期公開了一種除藻抑嗅結構及裝置，這一發(fā)明通過采用微納米曝氣單元改善水力條件，避免高濃度藻阻擋紫外穿透效果。

這款裝置涉及水處理技術領域，包括太陽能板、浮標外殼、浸水套管、微納米曝氣單元、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元，太陽能板分別與微納米曝氣單元、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元電連接；太陽能板位于浮標外殼上；浮標外殼與浸水套管連接；微納米曝氣單元和測藻單元均位于浸水套管中，且微納米曝氣單元的一端和測藻單元的一端均與水體接觸；紫外LED發(fā)光單元包括若干紫外LED發(fā)光部件，若干紫外LED發(fā)光部件均設置在浸水套管中，且各紫外LED發(fā)光部件發(fā)射的光均朝向水體，以達成阻絕藻類成長的效果。

深紫外UV-C LED方面近期還公開了一項通照兩用的深紫外UV-C LED技術。

此項技術包括從下到上依次排列分布的導電襯底、第一鍵合金屬層、第二鍵合金屬層、絕緣層、P接觸反射鏡金屬及保護層、p型GaN層、AlGaN多量子阱層、n型GaN層；嵌入式柱狀N電極沉積于嵌入式柱狀N電極通道內(nèi)；嵌入式柱狀N電極的上表面與n型GaN層形成歐姆接觸；柱狀P電極沉積于柱狀P電極通道；柱狀P電極的底端位于LED芯片底部。

這一實用新型將柱狀P電極制作于LED芯片底部，避免了因制作電極而損失一部分發(fā)光面積，有效提升芯片的光輸出功率；同時，采用漸變Al組分結構的AlGaN多量子阱層，有效提高了內(nèi)量子效率和光輸出效率。

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